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由于海外的技术封控，这两年国内厂商不但在先进芯片上难以取得突破，甚至连一些14nm以上的成熟工艺都受到了限制。所以国内要达成一个完善的自主芯片产业链，那么首要攻克的项目就是自主研发生产的国产光刻机了。尽管很多年前上海微电子SMEE的193nm步进扫描投影光刻机于2007年面世，但一直没有获得量产应用，基本算是摆设，而现在SMEE的28nm光刻机有希望在年底正式交付。
事实上上海微电子的28nm光刻机已经被谈论了很多年，不少人都知道这个设备的存在，而且传闻中的交付时间最早可追溯到2020年，但可能是技术的原因或者有什么问题没有解决，这台国产光刻机的交付时间一拖再拖，这两年每年都有传闻说这款光刻机即将交付，但最后都没有成真。不过这次是权威官媒新华社下场引用《证券日报》的报道，表示这台光刻机最快会在年底交付，那么可信度还是非常高的。
从报道来看，新华社表示上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。这里要说明的是，SMEE的这款光刻机属于前道光刻机，也就是主要用于晶圆制造，是目前芯片生产最关键的一环。在这部分荷兰ASML处于绝对的技术垄断地位，日本尼康、佳能等也有不俗的实力，国内和这些厂商相比差距比较大。
不过这并不代表SMEE的这款28nm就属于很落后的光刻机，实际上我们说的28nm光刻机，并不是说这款光刻机只能生产28nm及以上的芯片，而是指它单次光刻分辨率达到了28nm，这就和SMEE之前的90nm光刻机一样，都是指单次光刻的极限分辨率，而不是说它生产芯片的工艺制程。
像现在ASML的EUV光刻机，可以生产7nm、5nm以及3nm的芯片，但它单次光刻的分辨率是13.5nm，所以从技术理论上而言，SMEE这台国产光刻机所能生产的芯片远不止28nm，应该可以达到14nm甚至7nm这样的工艺，比起ASML目前的DUV光刻机是有不小的进步的，虽然和ASML相比技术差距还比较大，但这肯定也算是国内在芯片领域上的重大突破。
当然这里稍微要泼一些冷水的是，SMEE之前就已经交付了90nm光刻机，但实际上因为芯片生产良率太低，在如今的商业社会上，实际也没有厂商真正使用。所以SMEE的28nm光刻机即使交付了，要真正量产并且应用还需要一段时间，同时谁也不知道这台光刻机生产晶圆的效率和良率如何，这需要厂商去不断完善和突破。另外28nm光刻机要生产14nm以及7nm芯片，也需要不短的时间去尝试和验证，所以我们不要妄想28nm国产光刻机交付了，我们国内厂商马上就能生产出完全自主研发的国产先进芯片。在这里我们只能祝福，至少希望SMEE的这台28nm光刻机，不要落得和之前90nm光刻机一样的命运！
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